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第单2018年利用低温液相法合成大型超稳定全无机CsPbBr3单晶薄膜并组装了高性能光电探测器【Adv.Mater.2018,30,1802110】。在Nat.Nanotech.、批历Nat.Comm.,Chem.Soc.Rev,Phys.Rev.Lett.、批历Adv.Mater.、J.Am.Soc.Chem.等国际顶级期刊上发表论文近200篇，申请国内外专利十余项,两次获湖南省自然科学一等奖（第一完成人）和省青年科技奖。

主持国家自然科学基金、史建上历史建973课题（子项目）及省部级人才基金等课题十余项。在Nat.Photon.、筑名筑共Nat.Comm.、Adv.Mater.、Adv.EnergyMater.、Angew.Chem.Int.Edit.、NanoEnergy、ACSNano等期刊上发表SCI论文140余篇，引用5200多次。布济2018年受皮肤功能的激发组装了多功能的高延展性的传感器阵列【Nat.Commun.2018,9,244】。

【引言】光电器件（包括光电探测器、南市LEDs和太阳能电池）已经在日常生活中产生了巨大的应用，如光电通信、成像技术、环境监测、数字显示等。2006年毕业于中国科学院物理研究所，济南级随后加盟湖南大学工作。

第单基于钙钛矿材料的大规模PD阵列的关键挑战在于能否为器件的微型化和集成化提供合适并有效的合成技术。

【图文导读】图一钙钛矿阵列的合成工艺与表征（a）CH3NH3PbI3−xClx阵列的合成工艺示意图（b）所合成的CH3NH3PbI3−xClx阵列XRD图谱，批历插图：批历四方钙钛矿的晶格结构（c）图案化的CH3NH3PbI3−xClx阵列的SEM图像和薄膜表面的放大SEM图像（d,e）PET衬底上具有不同几何形状和更复杂图案的大规模CH3NH3PbI3−xClx薄膜的照片图二柔性PD阵列的结构和制造工艺（a）该器件的结构示意图，插图：设计的复杂电路（b）该器件制备工艺的示意图说明（c）PD阵列的SEM图像和器件中单像素的放大SEM图像（d）10×10像素的柔性PD阵列的光学图像图三PD阵列的光响应表征（a）利用650nm激光二极管对单像素在黑暗和光照下进行表征（对数I-V曲线），其光强度变化范围为0.033-38.3mWcm-2（b,c）不同光照强度下单像素的开/关电流比和瞬态光响应性能（d）在光照强度为38.3mWcm-2下，偏压为5V的单像素可重复的光响应（e）不同光照强度下的光电流和探测能力（f）固定功率密度为2mWcm-2，在黑暗和具有不同波长的光照下单像素的I-V曲线图四柔性PD阵列的电稳定性（a）偏压为5V，分别在黑暗和光照强度为6.5mWcm-2下具有不同弯曲角度的器件输出电流，插图是5种弯曲状态下器件所对应的光学图像，θ是弯曲角（b）未弯曲和分别在100、200、300和500次弯曲循环后器件的对数I-V曲线（c）不同弯曲循环后柔性PD阵列的归一化开/关转换行为图五器件的实时光追踪和成像应用演示（a）在偏压为5V下PD阵列的统计暗电流（b）在黑暗与汞灯光源的不同光照强度下，器件的平均电流（c）自制的多通道数据采集系统示意图（d）通过一个掩模将光照施加在局部区域（像素点5和6），10个像素的V-t曲线，说明像素点之间没有串扰（e）实时光追踪演示：（e-i）光点移动过程的示意图和（e-ii）对应的轨迹，（e-iii）当光点通过对应的像素点时终端电压的变化（f）用于演示柔性PD阵列光成像示意图【小结】研究人员已经展示了基于CH3NH3PbI3−xClx薄膜的大规模柔性光电探测器阵列用于实时光探测和成像，该器件在多种环境下具有的优异性能而使其成为新型光电探测器的一种较为理想的装置，相关研究人员也预测所制备的这种器件在光通信、数字显示和人造电子皮肤等领域的光探测和成像方面具有巨大的潜力。如连续操作3日，史建上历史建仍无效果

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南市（6）空间稳定性和平整性好。聚烯烃类聚合物的耐热性能差，济南级在过充过放、快速充放或高温下可能会熔化，造成短路起火，甚至爆炸。